中国西部科技
中國西部科技
중국서부과기
SCIENCE AND TECHNOLOGY OF WEST CHINA
2011年
18期
18-19,13
,共3页
PPY%电子结构%导电性
PPY%電子結構%導電性
PPY%전자결구%도전성
采用密度泛函(DFT) B3LYP方法优化了聚吡咯的单体和低聚物的电子结构,聚合物采用PBC方法和LSDA方法计算了性质特征,全部的优化都采用6-31G*基组计算.找出了单体、低聚体和聚合物电子结构的关系,并对其能结构与态密度进行了分析与探讨.通过键长、自然键轨道(NBO)的分析表明:随着聚合数目的增大,环与环之间的共轭程度增大；聚合物的能带结构和态密度研究表明,吡咯的低聚体随着聚合数目的增大,能隙逐渐减小,其聚合物的能隙仅有1.79 eV,可以作为潜在的导电聚合物材料.
採用密度汎函(DFT) B3LYP方法優化瞭聚吡咯的單體和低聚物的電子結構,聚閤物採用PBC方法和LSDA方法計算瞭性質特徵,全部的優化都採用6-31G*基組計算.找齣瞭單體、低聚體和聚閤物電子結構的關繫,併對其能結構與態密度進行瞭分析與探討.通過鍵長、自然鍵軌道(NBO)的分析錶明:隨著聚閤數目的增大,環與環之間的共軛程度增大；聚閤物的能帶結構和態密度研究錶明,吡咯的低聚體隨著聚閤數目的增大,能隙逐漸減小,其聚閤物的能隙僅有1.79 eV,可以作為潛在的導電聚閤物材料.
채용밀도범함(DFT) B3LYP방법우화료취필각적단체화저취물적전자결구,취합물채용PBC방법화LSDA방법계산료성질특정,전부적우화도채용6-31G*기조계산.조출료단체、저취체화취합물전자결구적관계,병대기능결구여태밀도진행료분석여탐토.통과건장、자연건궤도(NBO)적분석표명:수착취합수목적증대,배여배지간적공액정도증대；취합물적능대결구화태밀도연구표명,필각적저취체수착취합수목적증대,능극축점감소,기취합물적능극부유1.79 eV,가이작위잠재적도전취합물재료.
