功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2012年
1期
17-22
,共6页
夏超%王中健%何大伟%徐大伟%张有为%程新红%俞跃辉
夏超%王中健%何大偉%徐大偉%張有為%程新紅%俞躍輝
하초%왕중건%하대위%서대위%장유위%정신홍%유약휘
SOI ESD%SCR%Sentaurus%保护器件
SOI ESD%SCR%Sentaurus%保護器件
SOI ESD%SCR%Sentaurus%보호기건
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13 -8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高；Trench长度(0.8 -1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低；场氧化层长度(2 -4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加.
本文具體分析瞭體硅SCR(晶閘管)和SOI SCR的抗靜電特性,利用軟件Sentaurus對埋氧層3μm,頂層硅1.5μm的SOI襯底上的SCR進行瞭工藝和性能倣真,倣真結果達到瞭4.5kV的抗靜電能力,符閤目前人體模型的標準2KV.研究髮現,註入劑量(9*13 -8*14cm-2)增加會引起觸髮電壓減小,維持電壓升高；Trench長度(0.8 -1.1μm)增加,器件觸髮電壓幾乎不變,維持電壓降低；場氧化層長度(2 -4.5μm)增加,觸髮電壓和維持電壓均增加.
본문구체분석료체규SCR(정갑관)화SOI SCR적항정전특성,이용연건Sentaurus대매양층3μm,정층규1.5μm적SOI츤저상적SCR진행료공예화성능방진,방진결과체도료4.5kV적항정전능력,부합목전인체모형적표준2KV.연구발현,주입제량(9*13 -8*14cm-2)증가회인기촉발전압감소,유지전압승고；Trench장도(0.8 -1.1μm)증가,기건촉발전압궤호불변,유지전압강저；장양화층장도(2 -4.5μm)증가,촉발전압화유지전압균증가.
