微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
4期
556-559
,共4页
张林%肖剑%谷文萍%邱彦章
張林%肖劍%穀文萍%邱彥章
장림%초검%곡문평%구언장
碳化硅%结型场效应晶体管%肖特基栅
碳化硅%結型場效應晶體管%肖特基柵
탄화규%결형장효응정체관%초특기책
提出了一种新型结构的SiC结型场效应晶体管,采用肖特基接触替代P+型栅区,以降低SiC JFET的工艺复杂度,并提高器件的功率特性.建立了器件的数值模型,对不同材料和结构参数下的功率特性进行了仿真.结果表明,与PN结栅相比,肖特基栅结构可以有效降低SiC JFET的开态电阻；与常规结构的双极模式SiC JFET相比,在SiC肖特基栅JFET的栅极正偏注入载流子,同样可以有效降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性,但不会延长开关时间.
提齣瞭一種新型結構的SiC結型場效應晶體管,採用肖特基接觸替代P+型柵區,以降低SiC JFET的工藝複雜度,併提高器件的功率特性.建立瞭器件的數值模型,對不同材料和結構參數下的功率特性進行瞭倣真.結果錶明,與PN結柵相比,肖特基柵結構可以有效降低SiC JFET的開態電阻；與常規結構的雙極模式SiC JFET相比,在SiC肖特基柵JFET的柵極正偏註入載流子,同樣可以有效降低器件的開態電阻,摺中器件的正反嚮特性,但不會延長開關時間.
제출료일충신형결구적SiC결형장효응정체관,채용초특기접촉체대P+형책구,이강저SiC JFET적공예복잡도,병제고기건적공솔특성.건립료기건적수치모형,대불동재료화결구삼수하적공솔특성진행료방진.결과표명,여PN결책상비,초특기책결구가이유효강저SiC JFET적개태전조；여상규결구적쌍겁모식SiC JFET상비,재SiC초특기책JFET적책겁정편주입재류자,동양가이유효강저기건적개태전조,절중기건적정반향특성,단불회연장개관시간.
