真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2007年
1期
25-30
,共6页
低温刻蚀%微机电系统%深宽比%刻蚀滞后
低溫刻蝕%微機電繫統%深寬比%刻蝕滯後
저온각식%미궤전계통%심관비%각식체후
等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术.本文在低温刻蚀单晶硅样品时得到典型的刻蚀结果为:各向异性值＞0.99,硅刻蚀速率＞1.5 μm/min,对SiO2刻蚀选择比＞75,说明该刻蚀方法很具竞争力.通过对载片台温度、反应气体配比、腔体气压和ICP线圈功率等工艺参数的系列实验分析,证明低温刻蚀高深宽比硅微结构必需一定的低温和氧,同时揭示出低温刻蚀过程的主要控制因素是离子轰击而非刻蚀表面的化学反应.本文还对刻蚀过程中刻蚀滞后和凹蚀现象的产生机理进行了分析讨论,指出介电质掩蔽层的充放电效应导致了凹蚀,而刻蚀滞后的诱因则与通常的刻蚀情况不同,主要是台阶对离子轰击的覆盖效应.
等離子體低溫刻蝕是一種針對高深寬比結構的榦法刻蝕技術.本文在低溫刻蝕單晶硅樣品時得到典型的刻蝕結果為:各嚮異性值＞0.99,硅刻蝕速率＞1.5 μm/min,對SiO2刻蝕選擇比＞75,說明該刻蝕方法很具競爭力.通過對載片檯溫度、反應氣體配比、腔體氣壓和ICP線圈功率等工藝參數的繫列實驗分析,證明低溫刻蝕高深寬比硅微結構必需一定的低溫和氧,同時揭示齣低溫刻蝕過程的主要控製因素是離子轟擊而非刻蝕錶麵的化學反應.本文還對刻蝕過程中刻蝕滯後和凹蝕現象的產生機理進行瞭分析討論,指齣介電質掩蔽層的充放電效應導緻瞭凹蝕,而刻蝕滯後的誘因則與通常的刻蝕情況不同,主要是檯階對離子轟擊的覆蓋效應.
등리자체저온각식시일충침대고심관비결구적간법각식기술.본문재저온각식단정규양품시득도전형적각식결과위:각향이성치＞0.99,규각식속솔＞1.5 μm/min,대SiO2각식선택비＞75,설명해각식방법흔구경쟁력.통과대재편태온도、반응기체배비、강체기압화ICP선권공솔등공예삼수적계렬실험분석,증명저온각식고심관비규미결구필수일정적저온화양,동시게시출저온각식과정적주요공제인소시리자굉격이비각식표면적화학반응.본문환대각식과정중각식체후화요식현상적산생궤리진행료분석토론,지출개전질엄폐층적충방전효응도치료요식,이각식체후적유인칙여통상적각식정황불동,주요시태계대리자굉격적복개효응.
