电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
3期
49-51
,共3页
电子技术%TiO2系压敏陶瓷%Bi2O3添加剂%复阻抗%势垒高度
電子技術%TiO2繫壓敏陶瓷%Bi2O3添加劑%複阻抗%勢壘高度
전자기술%TiO2계압민도자%Bi2O3첨가제%복조항%세루고도
采用传统电子陶瓷工艺制作了TiO2系压敏陶瓷.通过测试其I-V特性、复阻抗特性、晶界电阻、晶粒电阻及势垒高度,研究了Bi2O3对TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷微结构及电性能的影响.结果表明,Bi2O3的适当掺杂范围在0.3 %～0.5 %(摩尔分数).其掺杂量的变化,可显著改变TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷的晶界电阻及势垒高度,进而对压敏陶瓷的电学非线性特性产生影响.当x(Bi2O3)为0.4 %时,压敏陶瓷的V1mA与( 分别为40 V/mm与6.2.
採用傳統電子陶瓷工藝製作瞭TiO2繫壓敏陶瓷.通過測試其I-V特性、複阻抗特性、晶界電阻、晶粒電阻及勢壘高度,研究瞭Bi2O3對TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO繫壓敏陶瓷微結構及電性能的影響.結果錶明,Bi2O3的適噹摻雜範圍在0.3 %～0.5 %(摩爾分數).其摻雜量的變化,可顯著改變TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO繫壓敏陶瓷的晶界電阻及勢壘高度,進而對壓敏陶瓷的電學非線性特性產生影響.噹x(Bi2O3)為0.4 %時,壓敏陶瓷的V1mA與( 分彆為40 V/mm與6.2.
채용전통전자도자공예제작료TiO2계압민도자.통과측시기I-V특성、복조항특성、정계전조、정립전조급세루고도,연구료Bi2O3대TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO계압민도자미결구급전성능적영향.결과표명,Bi2O3적괄당참잡범위재0.3 %～0.5 %(마이분수).기참잡량적변화,가현저개변TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO계압민도자적정계전조급세루고도,진이대압민도자적전학비선성특성산생영향.당x(Bi2O3)위0.4 %시,압민도자적V1mA여( 분별위40 V/mm여6.2.
