物理学报
物理學報
물이학보
2007年
9期
5418-5423
,共6页
王茺%刘昭麟%陈平平%崔昊杨%夏长生%杨宇%陆卫
王茺%劉昭麟%陳平平%崔昊楊%夏長生%楊宇%陸衛
왕충%류소린%진평평%최호양%하장생%양우%륙위
合金分解效应%InAs/In0.15Ga0.85As量子点%光致发光光谱%压电调制光谱
閤金分解效應%InAs/In0.15Ga0.85As量子點%光緻髮光光譜%壓電調製光譜
합금분해효응%InAs/In0.15Ga0.85As양자점%광치발광광보%압전조제광보
利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因.
利用固源分子束外延技術,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生長瞭兩箇InAs/In0.15Ga0.85As量子點(DWELL)樣品.通過改變其中一箇InAs DWELL樣品中的In0.15Ga0.85As阱層的厚度和生長溫度,穫得瞭量子點呎吋增大而且呎吋分佈更均勻的結果.結閤光緻髮光光譜(PL)和壓電調製光譜(PzR)實驗結果,髮現該樣品量子點的光學性質也同時得到瞭極大的優化.基于有效質量近似的數值計算結果錶明:量子點後生長過程中應力導緻In0.15Ga0.85As阱層閤金分解機理是導緻量子點呎吋和光學性質得到優化的主要原因.
이용고원분자속외연기술,재In0.15Ga0.85As/GaAs양자정생장료량개InAs/In0.15Ga0.85As양자점(DWELL)양품.통과개변기중일개InAs DWELL양품중적In0.15Ga0.85As정층적후도화생장온도,획득료양자점척촌증대이차척촌분포경균균적결과.결합광치발광광보(PL)화압전조제광보(PzR)실험결과,발현해양품양자점적광학성질야동시득도료겁대적우화.기우유효질량근사적수치계산결과표명:양자점후생장과정중응력도치In0.15Ga0.85As정층합금분해궤리시도치양자점척촌화광학성질득도우화적주요원인.
