CAJ | 학술논문

对R3SiX(R=H、CH3;X=F、Cl、Br、I)与NR'3(R'=H、CH3)的加成物用量子化学密度泛函方法在B3LYP/6-31g(d,p)基组下(X原子采用cep-121g基组)进行了两种加成方式的研究.一种是NR'3沿Si-X键轴向位置的加成,另一种是NR'3沿Si-X键侧向接近的加成.计算结果表明,前者更稳定且更容易形成加成物;Si上斥电子基团不利于Si-N键的形成,而N上斥电子基团则有利于Si-N键的形成;NH3-H3SiX系列和N(CH3)H3-H3SiX系列均能以两种方式进行加成,NH3-H2(CH3)SiX系列仅能沿Si-X键轴向进行加成,而NH3H(CH3)2SiX和NH3-(CH3)3SiX系列两种方式都不能进行加成;在同系列加成产物中,以X=Cl时所得加成物最稳定.讨论了所有加成物中各键的性能、NBO电荷变化、取代基对加成物结构和稳定性的影响,并对H3SiX(X=F、Cl、Br、D与NH3及N(CH3)3加成物在有机溶剂中导电的可能性进行了讨论.
대R3SiX(R=H、CH3;X=F、Cl、Br、I)여NR'3(R'=H、CH3)적가성물용양자화학밀도범함방법재B3LYP/6-31g(d,p)기조하(X원자채용cep-121g기조)진행료량충가성방식적연구.일충시NR'3연Si-X건축향위치적가성,령일충시NR'3연Si-X건측향접근적가성.계산결과표명,전자경은정차경용역형성가성물;Si상척전자기단불리우Si-N건적형성,이N상척전자기단칙유리우Si-N건적형성;NH3-H3SiX계렬화N(CH3)H3-H3SiX계렬균능이량충방식진행가성,NH3-H2(CH3)SiX계렬부능연Si-X건축향진행가성,이NH3H(CH3)2SiX화NH3-(CH3)3SiX계렬량충방식도불능진행가성;재동계렬가성산물중,이X=Cl시소득가성물최은정.토론료소유가성물중각건적성능、NBO전하변화、취대기대가성물결구화은정성적영향,병대H3SiX(X=F、Cl、Br、D여NH3급N(CH3)3가성물재유궤용제중도전적가능성진행료토론.