CAJ | 학술논문

采用热丝化学气相沉积法在Si(111)、Ti(101)衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD 结果表明,制备的SiC薄膜呈现 3C-SiC 结晶相,有很好的择优取向性.FTIR 谱显示,薄膜的吸收特性主要为 Si-C 键的吸收,其吸收峰为 804.95 cm-1.从原子力显微镜对 SiC 薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密.此外,在高真空系统中(6.0×10-4Pa)对生长的SiC薄膜进行场致发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性:样品的开启电压为 82.1 V/μm,最大电流密度为 631.5μA/cm2.
채용열사화학기상침적법재Si(111)、Ti(101)츤저상제비료SiC박막,병이용X사선연사화부리협변환홍외흡수광보(FTIR)대박막적결구、성분급화학건합상태진행료분석.XRD 결과표명,제비적SiC박막정현 3C-SiC 결정상,유흔호적택우취향성.FTIR 보현시,박막적흡수특성주요위 Si-C 건적흡수,기흡수봉위 804.95 cm-1.종원자력현미경대 SiC 박막표면형모적측시분석가이간출,양품표면정규칙정세과립상결구차박막결구치밀.차외,재고진공계통중(6.0×10-4Pa)대생장적SiC박막진행장치발사특성측시,결과표명생장적SiC박막구유장치발사특성:양품적개계전압위 82.1 V/μm,최대전류밀도위 631.5μA/cm2.