半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
4期
746-750
,共5页
栾苏珍%刘红侠%贾仁需%王瑾
欒囌珍%劉紅俠%賈仁需%王瑾
란소진%류홍협%가인수%왕근
异质栅%SOI MOSFET%亚阈值电流%二维解析模型
異質柵%SOI MOSFET%亞閾值電流%二維解析模型
이질책%SOI MOSFET%아역치전류%이유해석모형
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移.扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求解简单,文中给出了一种分段近似方法,从而得到表面势的解析表达式.结果表明,所得到的表面势解析表达式和确切解的结果高度吻合.二维器件数值模拟器ISE验证了通过表面势解析表达式得到的亚阈值电流模型,在亚阈值区二者所得结果吻合得很好.
在溝道源耑一側引入高摻雜Halo結構的異質柵SOI MOSFET,可以有效降低亞閾值電流.通過求解二維泊鬆方程,為該器件建立瞭亞閾值條件下的錶麵勢模型.利用常規漂移.擴散理論,在錶麵勢模型的基礎上,推導齣新結構器件的亞閾值電流模型.為瞭求解簡單,文中給齣瞭一種分段近似方法,從而得到錶麵勢的解析錶達式.結果錶明,所得到的錶麵勢解析錶達式和確切解的結果高度吻閤.二維器件數值模擬器ISE驗證瞭通過錶麵勢解析錶達式得到的亞閾值電流模型,在亞閾值區二者所得結果吻閤得很好.
재구도원단일측인입고참잡Halo결구적이질책SOI MOSFET,가이유효강저아역치전류.통과구해이유박송방정,위해기건건립료아역치조건하적표면세모형.이용상규표이.확산이론,재표면세모형적기출상,추도출신결구기건적아역치전류모형.위료구해간단,문중급출료일충분단근사방법,종이득도표면세적해석표체식.결과표명,소득도적표면세해석표체식화학절해적결과고도문합.이유기건수치모의기ISE험증료통과표면세해석표체식득도적아역치전류모형,재아역치구이자소득결과문합득흔호.
