110 V体硅LDMOS器件研究
110 V체규LDMOS기건연구
Research on the 110 V Bulk-Silicon LDMOS
  • 万方数据
    南通大学学报（自然科学版） 남통대학학보（자연과학판）
    JOURNAL OF NANTONG UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
    2008年 2期 1-5 ,共5页

    罗向东%孙玲%陈海进%刘焱华%孙海燕%徐炜炜%陶涛%程梦璋%景为平

    라향동%손령%진해진%류염화%손해연%서위위%도도%정몽장%경위평

    高压%LDMOS%击穿电压%仿真 高壓%LDMOS%擊穿電壓%倣真
    고압%LDMOS%격천전압%방진
    利用SILVACO TCAD工艺仿真和器件仿真软件研究了110 V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在漏端表面发生击穿;衬底浓度低对提高开态击穿电压有一定效果.但低浓度衬底难以在CMOS工艺中使用;场氧与P阱和漂移区的PN结界面距离在零或者略大于零时器件耐压性有最优值;栅极板长度存在最优值,栅极板过长或过短都将使得器件的击穿电压有所降低.
    이용SILVACO TCAD공예방진화기건방진연건연구료110 V체규LDMOS기건적궤개중요삼수대기건내압특성적영향.연구결과표명,표이구제량존재일개최우치,과대장도치표이구난이모진이사득구도여표이구변계발생격천,이과소칙도치표이구신속모진이재루단표면발생격천;츤저농도저대제고개태격천전압유일정효과.단저농도츤저난이재CMOS공예중사용;장양여P정화표이구적PN결계면거리재령혹자략대우령시기건내압성유최우치;책겁판장도존재최우치,책겁판과장혹과단도장사득기건적격천전압유소강저.
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