半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2002年
1期
4-7
,共4页
硅发光%多孔硅%纳米硅%超晶格
硅髮光%多孔硅%納米硅%超晶格
규발광%다공규%납미규%초정격
硅是间接带隙半导体, 不能有效地发光.量子理论、超晶格理论和纳米技术的发展,给硅基发光研究提供了理论的和技术的支撑.研究者通过不同的途径去实现硅的有效发光:多孔硅、纳米硅、Si/SiO2超晶格、计算化设计与硅晶格匹配的直接带隙半导体.文章报道了这些方面的最新研究进展.
硅是間接帶隙半導體, 不能有效地髮光.量子理論、超晶格理論和納米技術的髮展,給硅基髮光研究提供瞭理論的和技術的支撐.研究者通過不同的途徑去實現硅的有效髮光:多孔硅、納米硅、Si/SiO2超晶格、計算化設計與硅晶格匹配的直接帶隙半導體.文章報道瞭這些方麵的最新研究進展.
규시간접대극반도체, 불능유효지발광.양자이론、초정격이론화납미기술적발전,급규기발광연구제공료이론적화기술적지탱.연구자통과불동적도경거실현규적유효발광:다공규、납미규、Si/SiO2초정격、계산화설계여규정격필배적직접대극반도체.문장보도료저사방면적최신연구진전.
