微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
5期
377-379
,共3页
深亚微米器件%SOI%MOSFET%热载流子效应%器件退化
深亞微米器件%SOI%MOSFET%熱載流子效應%器件退化
심아미미기건%SOI%MOSFET%열재류자효응%기건퇴화
研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性.测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和阈值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3 μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压.
研究瞭深亞微米PD和FD SOI MOS器件遭受熱載流子效應(HCE)後引起的器件參數退化的主要差異及其特點,提齣瞭相應的物理機製,以解釋這種特性.測量瞭在不同應力條件下最大線性區跨導退化和閾值電壓漂移,研究瞭應力Vg對HCE退化的影響,併分彆預測瞭這兩種器件的壽命,提齣瞭10年壽命的0.3 μm溝長的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏壓.
연구료심아미미PD화FD SOI MOS기건조수열재류자효응(HCE)후인기적기건삼수퇴화적주요차이급기특점,제출료상응적물리궤제,이해석저충특성.측량료재불동응력조건하최대선성구과도퇴화화역치전압표이,연구료응력Vg대HCE퇴화적영향,병분별예측료저량충기건적수명,제출료10년수명적0.3 μm구장적PD화FD SOI MOS기건소능승수적최대루편압.
