红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2005年
4期
314-318
,共5页
陈长青%毛旭%周祯来%陈刚%杨宇
陳長青%毛旭%週禎來%陳剛%楊宇
진장청%모욱%주정래%진강%양우
SiC%傅立叶红外吸收谱%紫外-可见光谱%基本声子组合
SiC%傅立葉紅外吸收譜%紫外-可見光譜%基本聲子組閤
SiC%부립협홍외흡수보%자외-가견광보%기본성자조합
报道了在单晶Si衬底上采用RF磁控溅射技术异质外延生长SiC薄膜的研究.由傅立叶红外谱用双声子组合法计算出SiC的基本声子能量是TO=0.049 eV,LO=0.048 eV,TA=0.0045 eV,LA=0.0078eV;SiC的所有傅立叶红外吸收峰均可用这些声子能量按不同组合方式得到,并在紫外-可见光谱中,光跃迁引起的吸收或放射的声子的能量也可以用这些基本声子能量按不同方式组合得到.
報道瞭在單晶Si襯底上採用RF磁控濺射技術異質外延生長SiC薄膜的研究.由傅立葉紅外譜用雙聲子組閤法計算齣SiC的基本聲子能量是TO=0.049 eV,LO=0.048 eV,TA=0.0045 eV,LA=0.0078eV;SiC的所有傅立葉紅外吸收峰均可用這些聲子能量按不同組閤方式得到,併在紫外-可見光譜中,光躍遷引起的吸收或放射的聲子的能量也可以用這些基本聲子能量按不同方式組閤得到.
보도료재단정Si츤저상채용RF자공천사기술이질외연생장SiC박막적연구.유부립협홍외보용쌍성자조합법계산출SiC적기본성자능량시TO=0.049 eV,LO=0.048 eV,TA=0.0045 eV,LA=0.0078eV;SiC적소유부립협홍외흡수봉균가용저사성자능량안불동조합방식득도,병재자외-가견광보중,광약천인기적흡수혹방사적성자적능량야가이용저사기본성자능량안불동방식조합득도.
