脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展
맥충격광침적법제비ZnO박막적연구진전
Recent Advances of ZnO Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
  • 万方数据
    电子元件与材料 전자원건여재료
    ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
    2006年 5期 9-12 ,共4页

    何建廷%庄惠照%薛成山%田德恒%吴玉新%赵婧%刘亦安%薛守斌%胡丽君

    하건정%장혜조%설성산%전덕항%오옥신%조청%류역안%설수빈%호려군

    半导体技术%脉冲激光沉积%综述%氧化锌薄膜%衬底温度%氧分压 半導體技術%脈遲激光沉積%綜述%氧化鋅薄膜%襯底溫度%氧分壓
    반도체기술%맥충격광침적%종술%양화자박막%츤저온도%양분압
    基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现,ZnO薄膜成为新的研究热点.综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响,ZnO薄膜的厚度在超过400 nm时,呈现出了近似块状的性质.采用PLD技术,可以在适当的条件下制备具有特定功能的氧化锌薄膜.
    기우양화자박막자외광발광적실현,ZnO박막성위신적연구열점.종술료각충침적조건대맥충격광침적(PLD)기술생장적양화자박막적미결구、광학화전학성질적영향,ZnO박막적후도재초과400 nm시,정현출료근사괴상적성질.채용PLD기술,가이재괄당적조건하제비구유특정공능적양화자박막.
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