n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管
n-ZnO/i-MgO/p-GaN이질결발광이겁관
n-ZnO/i-MgO/p-GaN Heterojunction Light-emitting Diodes
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2006年 4期 499-502 ,共4页

    矫淑杰%吕有明%申德振%张振中%李炳辉%张吉英%赵东旭%姚斌%范希武

    교숙걸%려유명%신덕진%장진중%리병휘%장길영%조동욱%요빈%범희무

    氧化锌%等离体辅助分子束外延%异质结%发光二极管 氧化鋅%等離體輔助分子束外延%異質結%髮光二極管
    양화자%등리체보조분자속외연%이질결%발광이겁관
    用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管.I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性.电致发光峰位于382 nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激子发射一致,表明该电致发光来自于ZnO的自由激子发射.通过Anderson模型比较了n-ZnO/i-MgO/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的能带示意图,证明了由于MgO层的插入抑制了ZnO向GaN层中的电子注入,且有利于空穴向ZnO层注入,从而实现了ZnO层中的电注入发光.
    용등리자체보조분자속외연적방법생장료n-ZnO/i-MgO/p-GaN이질결발광이겁관.I-V측량표명기구유전형적이겁관정류특성.전치발광봉위우382 nm,통과여n형ZnO화p형GaN적광치발광보비교,기발광봉위여선형도여ZnO적자유격자발사일치,표명해전치발광래자우ZnO적자유격자발사.통과Anderson모형비교료n-ZnO/i-MgO/p-GaN화n-ZnO/p-GaN이질결적능대시의도,증명료유우MgO층적삽입억제료ZnO향GaN층중적전자주입,차유리우공혈향ZnO층주입,종이실현료ZnO층중적전주입발광.
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