C波段3.5W/mm,PAE＞40%的InGaP/GaAs HBT功率管
C파단3.5W/mm,PAE＞40%적InGaP/GaAs HBT공솔관
C-Band 3.5W/mm InGaP/GaAs HBT Power Transistors with ＞40% Power-Added Efficiency
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 9期 1612-1615 ,共4页

    申华军%陈延湖%严北平%葛霁%王显泰%刘新宇%吴德馨

    신화군%진연호%엄북평%갈제%왕현태%류신우%오덕형

    InGaP/GaAs%异质结双极晶体管%功率管 InGaP/GaAs%異質結雙極晶體管%功率管
    InGaP/GaAs%이질결쌍겁정체관%공솔관
    通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAs HBT功率管.其击穿电压BVCBO大于31V,BVCEO大于21V;在5.4GHz时连续波(CW)饱和输出功率达到1.4W,功率密度达到3.5W/mm,功率附加效率(PAE)大于40%.
    통과우화InGaP/GaAs이질결쌍겁정체관(HBT)적재료결구화기건결구,채용BE금속자대준、발사겁진류화전도공기교등공예기술,연제료C파단InGaP/GaAs HBT공솔관.기격천전압BVCBO대우31V,BVCEO대우21V;재5.4GHz시련속파(CW)포화수출공솔체도1.4W,공솔밀도체도3.5W/mm,공솔부가효솔(PAE)대우40%.
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