激光技术
激光技術
격광기술
LASER TECHNOLOGY
2007年
1期
83-85
,共3页
光电子学%钝化膜%电子辐照%抗辐射
光電子學%鈍化膜%電子輻照%抗輻射
광전자학%둔화막%전자복조%항복사
为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8MeV电子在4个辐照剂量(1013 cm-2～1014 cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能参数有不同程度衰减的结果.辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖入射光波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段(600 nm～800 nm)基本不衰减.另外,暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加,当辐照剂量达到1×1014 cm-2时,短波光电流仅为辐照前的80%,暗电流为辐照前的40倍.实验中还发现,薄钝化的二极管的光电流衰减最小,其暗电流增加最显著.结果表明,钝化膜的辐射特性与器件结构和钝化膜工艺密切相关.
為瞭研究硅光電二極管鈍化膜的抗輻射性能,採取瞭0.8MeV電子在4箇輻照劑量(1013 cm-2～1014 cm-2)分彆輻照3種不同厚度二氧化硅鈍化的光電二極管的方法,比較瞭光電二極管光電流變化率和暗電流變化率,得到瞭3種鈍化厚度的光電二極管的性能參數有不同程度衰減的結果.輻照後光電二極管的光電流衰減彊烈依賴入射光波長,在短波和長波階段衰減明顯,而在中波階段(600 nm～800 nm)基本不衰減.另外,暗電流變化率隨著輻照劑量迅速增加,噹輻照劑量達到1×1014 cm-2時,短波光電流僅為輻照前的80%,暗電流為輻照前的40倍.實驗中還髮現,薄鈍化的二極管的光電流衰減最小,其暗電流增加最顯著.結果錶明,鈍化膜的輻射特性與器件結構和鈍化膜工藝密切相關.
위료연구규광전이겁관둔화막적항복사성능,채취료0.8MeV전자재4개복조제량(1013 cm-2～1014 cm-2)분별복조3충불동후도이양화규둔화적광전이겁관적방법,비교료광전이겁관광전류변화솔화암전류변화솔,득도료3충둔화후도적광전이겁관적성능삼수유불동정도쇠감적결과.복조후광전이겁관적광전류쇠감강렬의뢰입사광파장,재단파화장파계단쇠감명현,이재중파계단(600 nm～800 nm)기본불쇠감.령외,암전류변화솔수착복조제량신속증가,당복조제량체도1×1014 cm-2시,단파광전류부위복조전적80%,암전류위복조전적40배.실험중환발현,박둔화적이겁관적광전류쇠감최소,기암전류증가최현저.결과표명,둔화막적복사특성여기건결구화둔화막공예밀절상관.
