微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
11期
667-672
,共6页
张伟%周建伟%刘玉岭%赵之雯%张进%杨玉楼
張偉%週建偉%劉玉嶺%趙之雯%張進%楊玉樓
장위%주건위%류옥령%조지문%장진%양옥루
氢化非晶硅%光敏材料%H含量%红外光谱%反应机理
氫化非晶硅%光敏材料%H含量%紅外光譜%反應機理
경화비정규%광민재료%H함량%홍외광보%반응궤리
氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及组态对薄膜的稳定性有着极其重要的影响.介绍了H对薄膜稳定性影响的原理,提出了控制薄膜中的H含量的必要性.分析了H在H稀释硅烷法制备氢化非晶硅中的作用,论述了制备工艺中衬底温度、H稀释比、气体压强等对薄膜H含量的影响及其机理,并对用不同方法控制H含量的优缺点进行了比较,分析了通过以上三种方法控制薄膜H含量的局限性.探寻了控制薄膜H含量的新方法,并对该领域的发展方向进行了展望.
氫化非晶硅薄膜(a-Si:H)是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及組態對薄膜的穩定性有著極其重要的影響.介紹瞭H對薄膜穩定性影響的原理,提齣瞭控製薄膜中的H含量的必要性.分析瞭H在H稀釋硅烷法製備氫化非晶硅中的作用,論述瞭製備工藝中襯底溫度、H稀釋比、氣體壓彊等對薄膜H含量的影響及其機理,併對用不同方法控製H含量的優缺點進行瞭比較,分析瞭通過以上三種方法控製薄膜H含量的跼限性.探尋瞭控製薄膜H含量的新方法,併對該領域的髮展方嚮進行瞭展望.
경화비정규박막(a-Si:H)시목전중요적광민재료,이박막중적H함량급조태대박막적은정성유착겁기중요적영향.개소료H대박막은정성영향적원리,제출료공제박막중적H함량적필요성.분석료H재H희석규완법제비경화비정규중적작용,논술료제비공예중츤저온도、H희석비、기체압강등대박막H함량적영향급기궤리,병대용불동방법공제H함량적우결점진행료비교,분석료통과이상삼충방법공제박막H함량적국한성.탐심료공제박막H함량적신방법,병대해영역적발전방향진행료전망.
