物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2007年
11期
1671-1676
,共6页
Bi2MoO6薄膜%非晶态配合物%光电化学%可见光
Bi2MoO6薄膜%非晶態配閤物%光電化學%可見光
Bi2MoO6박막%비정태배합물%광전화학%가견광
采用非晶态配合物法在ITO导电玻璃上制备了Bi2MoO6薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(LRS)、紫外-可见漫反射谱(DRS)、光电流响应谱、光电转换量子效率(IPCE)等技术研究了Bi2MoO6薄膜的制备工艺、形貌、结构与薄膜光电性能的关系.结果表明,500℃、1h焙烧后的Bi2MoO6薄膜为γ-Bi2MoO6晶相,沿(131)晶面方向生长,薄膜厚度约为69 nm.随着焙烧温度的升高和焙烧时间的延长,Bi2MoO6薄膜的平均颗粒度增大,并且在525℃焙烧出现β-Bi2MoO6和γ'-Bi2MoO6晶相.Bi2MoO6薄膜具有可见光响应活性,在可见光照射下可以产生光电流,优化条件下的Bi2MoO6薄膜在400 nm的光电转换量子效率可以达到2.14%.薄膜的光电响应和光电转换量子效率受薄膜形貌及结晶状态影响,可以通过控制薄膜的制备条件来提高薄膜的光电转换量子效率.
採用非晶態配閤物法在ITO導電玻璃上製備瞭Bi2MoO6薄膜.採用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、激光拉曼光譜(LRS)、紫外-可見漫反射譜(DRS)、光電流響應譜、光電轉換量子效率(IPCE)等技術研究瞭Bi2MoO6薄膜的製備工藝、形貌、結構與薄膜光電性能的關繫.結果錶明,500℃、1h焙燒後的Bi2MoO6薄膜為γ-Bi2MoO6晶相,沿(131)晶麵方嚮生長,薄膜厚度約為69 nm.隨著焙燒溫度的升高和焙燒時間的延長,Bi2MoO6薄膜的平均顆粒度增大,併且在525℃焙燒齣現β-Bi2MoO6和γ'-Bi2MoO6晶相.Bi2MoO6薄膜具有可見光響應活性,在可見光照射下可以產生光電流,優化條件下的Bi2MoO6薄膜在400 nm的光電轉換量子效率可以達到2.14%.薄膜的光電響應和光電轉換量子效率受薄膜形貌及結晶狀態影響,可以通過控製薄膜的製備條件來提高薄膜的光電轉換量子效率.
채용비정태배합물법재ITO도전파리상제비료Bi2MoO6박막.채용소묘전자현미경(SEM)、X사선연사(XRD)、격광랍만광보(LRS)、자외-가견만반사보(DRS)、광전류향응보、광전전환양자효솔(IPCE)등기술연구료Bi2MoO6박막적제비공예、형모、결구여박막광전성능적관계.결과표명,500℃、1h배소후적Bi2MoO6박막위γ-Bi2MoO6정상,연(131)정면방향생장,박막후도약위69 nm.수착배소온도적승고화배소시간적연장,Bi2MoO6박막적평균과립도증대,병차재525℃배소출현β-Bi2MoO6화γ'-Bi2MoO6정상.Bi2MoO6박막구유가견광향응활성,재가견광조사하가이산생광전류,우화조건하적Bi2MoO6박막재400 nm적광전전환양자효솔가이체도2.14%.박막적광전향응화광전전환양자효솔수박막형모급결정상태영향,가이통과공제박막적제비조건래제고박막적광전전환양자효솔.