半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
1期
47-50,67
,共5页
微带滤波器%耦合微带线%传输系数%介质参数%硅基滤波器
微帶濾波器%耦閤微帶線%傳輸繫數%介質參數%硅基濾波器
미대려파기%우합미대선%전수계수%개질삼수%규기려파기
随着半导体工艺技术和IC设计技术的飞速发展,硅基滤波器技术也不断更新换代.滤波器传输性能取决于基片介电常数、损耗和厚度等参数.研究了硅基不同厚度、损耗以及掺杂浓度等情况下,中心频率为5.75 GHz附近的平行耦合微带带通滤波器的传输系数和反射系数的频率响应特性.结果表明:当微带线带通滤波器PCB版图确定时,滤波器正向传输系数S21随着基片材料厚度的减小,通频带宽变窄；随着硅掺杂浓度的增加,通带向低频方向偏移;当正切损耗为0.000 4,0.004和0.04时,中心频率处S21分别为-14.18,-2.08和-0.81 dB.理论结果与实验数据进行比较,两者符合较好.
隨著半導體工藝技術和IC設計技術的飛速髮展,硅基濾波器技術也不斷更新換代.濾波器傳輸性能取決于基片介電常數、損耗和厚度等參數.研究瞭硅基不同厚度、損耗以及摻雜濃度等情況下,中心頻率為5.75 GHz附近的平行耦閤微帶帶通濾波器的傳輸繫數和反射繫數的頻率響應特性.結果錶明:噹微帶線帶通濾波器PCB版圖確定時,濾波器正嚮傳輸繫數S21隨著基片材料厚度的減小,通頻帶寬變窄；隨著硅摻雜濃度的增加,通帶嚮低頻方嚮偏移;噹正切損耗為0.000 4,0.004和0.04時,中心頻率處S21分彆為-14.18,-2.08和-0.81 dB.理論結果與實驗數據進行比較,兩者符閤較好.
수착반도체공예기술화IC설계기술적비속발전,규기려파기기술야불단경신환대.려파기전수성능취결우기편개전상수、손모화후도등삼수.연구료규기불동후도、손모이급참잡농도등정황하,중심빈솔위5.75 GHz부근적평행우합미대대통려파기적전수계수화반사계수적빈솔향응특성.결과표명:당미대선대통려파기PCB판도학정시,려파기정향전수계수S21수착기편재료후도적감소,통빈대관변착；수착규참잡농도적증가,통대향저빈방향편이;당정절손모위0.000 4,0.004화0.04시,중심빈솔처S21분별위-14.18,-2.08화-0.81 dB.이론결과여실험수거진행비교,량자부합교호.
