液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2002年
2期
114-118
,共5页
GaP∶N LED%结构参数优化%载流子%浓度
GaP∶N LED%結構參數優化%載流子%濃度
GaP∶N LED%결구삼수우화%재류자%농도
在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算.对于正偏情形,计入了n2区产生的压降.考虑到GaP∶N LED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流.p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场不能忽略,空穴又被n2-n1 结势垒阻挡(设被完全阻挡),则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程, 由边界条件求出空穴扩散电流.将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ.对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论.分析表明:当n2值在1015～1016cm-3范围内时,注入效率较高,与实验结果基本相符.
在已報道的p-n2-n1結的勢壘分佈計算的基礎上,對該結構的濃度分佈進行瞭計算.對于正偏情形,計入瞭n2區產生的壓降.攷慮到GaP∶N LED髮光區主要在p區,註入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分彆為電子電流和空穴電流.p區內的少子擴散可視為嚮無限遠處的一維擴散;n2區內外加正嚮偏壓時電場不能忽略,空穴又被n2-n1 結勢壘阻擋(設被完全阻擋),則問題歸結為求解有限厚度層中空穴的擴散和複閤方程, 由邊界條件求齣空穴擴散電流.將求齣的電子擴散電流和空穴擴散電流代入註入效率的錶達式即可求得γ.對在閤理的參數值範圍內的計算結果進行瞭討論.分析錶明:噹n2值在1015～1016cm-3範圍內時,註入效率較高,與實驗結果基本相符.
재이보도적p-n2-n1결적세루분포계산적기출상,대해결구적농도분포진행료계산.대우정편정형,계입료n2구산생적압강.고필도GaP∶N LED발광구주요재p구,주입효솔γ=jn/(jn+jp),jn화jp분별위전자전류화공혈전류.p구내적소자확산가시위향무한원처적일유확산;n2구내외가정향편압시전장불능홀략,공혈우피n2-n1 결세루조당(설피완전조당),칙문제귀결위구해유한후도층중공혈적확산화복합방정, 유변계조건구출공혈확산전류.장구출적전자확산전류화공혈확산전류대입주입효솔적표체식즉가구득γ.대재합리적삼수치범위내적계산결과진행료토론.분석표명:당n2치재1015～1016cm-3범위내시,주입효솔교고,여실험결과기본상부.
