ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长
ZnAl2O4/α-Al2O3복합츤저적제비화GaN박막적생장
  • 万方数据
    中国科学A辑 중국과학A집
    SCIENCE IN CHINA (SERIES A)
    2002年 10期 895-899 ,共5页

    毕朝霞%张荣%李卫平%王栩生%顾书林%沈波%施毅%刘治国%郑有炓

    필조하%장영%리위평%왕허생%고서림%침파%시의%류치국%정유료

    GaN ZnAl2O4 MOCVD X射线衍射 扫描电子显微镜 GaN ZnAl2O4 MOCVD X射線衍射 掃描電子顯微鏡
    GaN ZnAl2O4 MOCVD X사선연사 소묘전자현미경
    利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.
    이용맥충격광정적법(PLD)재α-Al2O3츤저상정적료ZnO박막, 통과ZnO화α-Al2O3고상반응제비료구유ZnAl2O4복개층적α-Al2O3츤저. X사선연사보(XRD)표명ZnAl2O4박막수반응시간유단일(111)취향전변위다정취향, 연후변위불완전적(111)택우취향. 동시소묘전자현미경(SEM)조편표명ZnAl2O4표면형모수반응시간유균균적도상결구선변위봉상결구, 연후재변위돌기적선상결구. 령외, XRD보현시저온제비적ZnAl2O4재고온하불은정. 재ZnAl2O4복개적α-Al2O3츤저상이용광가열저압MOCVD법직접생장료GaN박막. XRD측량표명수ZnAl2O4후도증가GaN유c축단정변위다정, 단정GaN적요파곡선반고관위0.4°. 결과표명박ZnAl2O4복개층적도상결구유리우GaN생장초기적성핵, 종이제고료GaN적정체질량.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문