山东师范大学学报（自然科学版）
山東師範大學學報（自然科學版）
산동사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SHANGOND NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2007年
4期
55-57
,共3页
伊长虹%孙振翠%刘玫%张庆刚%满宝元%薛成山
伊長虹%孫振翠%劉玫%張慶剛%滿寶元%薛成山
이장홍%손진취%류매%장경강%만보원%설성산
溅射Ga2O3反应自组装%脉冲激光沉积(PLD)%CaN薄膜
濺射Ga2O3反應自組裝%脈遲激光沉積(PLD)%CaN薄膜
천사Ga2O3반응자조장%맥충격광침적(PLD)%CaN박막
用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜, 用X射线衍射图谱(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN薄膜的结构和形貌进行分析,结果表明,采用两种方法在两种衬底上均可制备出结晶较好的CaN薄膜, 但硅衬底上制备的GaN薄膜的晶粒明显大于在蓝宝石衬底上制备的GaN薄膜的晶粒,进一步表明硅基溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜晶化程度较高.
用濺射Ga2O3反應自組裝和脈遲激光沉積(PLD)法分彆在硅和藍寶石襯底上製備CaN薄膜, 用X射線衍射圖譜(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)對GaN薄膜的結構和形貌進行分析,結果錶明,採用兩種方法在兩種襯底上均可製備齣結晶較好的CaN薄膜, 但硅襯底上製備的GaN薄膜的晶粒明顯大于在藍寶石襯底上製備的GaN薄膜的晶粒,進一步錶明硅基濺射Ga2O3反應自組裝GaN薄膜晶化程度較高.
용천사Ga2O3반응자조장화맥충격광침적(PLD)법분별재규화람보석츤저상제비CaN박막, 용X사선연사도보(XRD)화원자력현미경(AFM)대GaN박막적결구화형모진행분석,결과표명,채용량충방법재량충츤저상균가제비출결정교호적CaN박막, 단규츤저상제비적GaN박막적정립명현대우재람보석츤저상제비적GaN박막적정립,진일보표명규기천사Ga2O3반응자조장GaN박막정화정도교고.
