电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
1期
38-40
,共3页
谢长淮%沈水发%潘海波%薛红涛
謝長淮%瀋水髮%潘海波%薛紅濤
사장회%침수발%반해파%설홍도
气敏性%ITO%掺杂%共沉淀法
氣敏性%ITO%摻雜%共沉澱法
기민성%ITO%참잡%공침정법
采用共沉淀法制备了掺杂Au的ITO(Sn/In=0.6)介孔材料来制备H2敏感器,分析结果表明,制得的ITO(纯和掺杂样品)是菱形晶相,其中掺杂5 mol%Au的样品有较窄的孔分布,其孔径为7～8 nm,用其制作的元件在150 mA工作电流下对H2(10-3)的灵敏度达到40.6,且对CO,NH3选择性较高.响应时间和恢复时间均小于1 min.
採用共沉澱法製備瞭摻雜Au的ITO(Sn/In=0.6)介孔材料來製備H2敏感器,分析結果錶明,製得的ITO(純和摻雜樣品)是蔆形晶相,其中摻雜5 mol%Au的樣品有較窄的孔分佈,其孔徑為7～8 nm,用其製作的元件在150 mA工作電流下對H2(10-3)的靈敏度達到40.6,且對CO,NH3選擇性較高.響應時間和恢複時間均小于1 min.
채용공침정법제비료참잡Au적ITO(Sn/In=0.6)개공재료래제비H2민감기,분석결과표명,제득적ITO(순화참잡양품)시릉형정상,기중참잡5 mol%Au적양품유교착적공분포,기공경위7～8 nm,용기제작적원건재150 mA공작전류하대H2(10-3)적령민도체도40.6,차대CO,NH3선택성교고.향응시간화회복시간균소우1 min.
