电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
2期
166-169
,共4页
程知群%朱雪芳%高俊君%徐胜军
程知群%硃雪芳%高俊君%徐勝軍
정지군%주설방%고준군%서성군
折叠混频器%电流复用%低电源电压%低噪声系数
摺疊混頻器%電流複用%低電源電壓%低譟聲繫數
절첩혼빈기%전류복용%저전원전압%저조성계수
设计一种工作在1.2 V低电源电压下的折叠混频器.混频器电路采用折叠结构和电流复用技术,降低电源电压,减小直流功耗,降低噪声、提高增益和线性度.跨导级采用交流耦合互补跨导进一步降低电源电压.混频器设计基于SMIC 0.18 μm标准CMOS工艺.仿真结果表明:输入射频频率和输出中频频率为2.5 GHz和100 MHz时,IIP3为3.857 dBm,NF为5.257 dB,转换增益为9.787 dB,功耗为5.22 mW.
設計一種工作在1.2 V低電源電壓下的摺疊混頻器.混頻器電路採用摺疊結構和電流複用技術,降低電源電壓,減小直流功耗,降低譟聲、提高增益和線性度.跨導級採用交流耦閤互補跨導進一步降低電源電壓.混頻器設計基于SMIC 0.18 μm標準CMOS工藝.倣真結果錶明:輸入射頻頻率和輸齣中頻頻率為2.5 GHz和100 MHz時,IIP3為3.857 dBm,NF為5.257 dB,轉換增益為9.787 dB,功耗為5.22 mW.
설계일충공작재1.2 V저전원전압하적절첩혼빈기.혼빈기전로채용절첩결구화전류복용기술,강저전원전압,감소직류공모,강저조성、제고증익화선성도.과도급채용교류우합호보과도진일보강저전원전압.혼빈기설계기우SMIC 0.18 μm표준CMOS공예.방진결과표명:수입사빈빈솔화수출중빈빈솔위2.5 GHz화100 MHz시,IIP3위3.857 dBm,NF위5.257 dB,전환증익위9.787 dB,공모위5.22 mW.
