半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
8期
609-613,638
,共6页
贠利君%魏同波%刘乃鑫%闫建昌%王军喜%李晋闽
贠利君%魏同波%劉迺鑫%閆建昌%王軍喜%李晉閩
원리군%위동파%류내흠%염건창%왕군희%리진민
压力%模板%AIInN薄膜%粗糙度%晶体质量
壓力%模闆%AIInN薄膜%粗糙度%晶體質量
압력%모판%AIInN박막%조조도%정체질량
为了研究不同压力和不同模板对InAlN薄膜外延生长的影响,分别选取以GaN为模板时生长压力为4.00、6.67和13.33 kPa,压力为4.00 kPa时模板为GaN和A1N这两组条件进行实验比较.研究发现,随着生长压力的增加,样品中In含量降低,样品的粗糙度则随压力的增加而增大；压力为4.00 kPa时,分别以摇摆曲线半高宽(FWHM)为86.97”的AIN和224.1”的GaN为模板,发现A1N模板上生长的InAIN样品(002)和(102)峰的FWHM值及表面粗糙度比上述GaN为模板生长的InAlN样品都要小很多.综合以上结果可初步得知:降低压力可以优化InAlN薄膜的表面形貌,增加In组分含量；采用高质量的AIN作模板能生长出晶体质量和表面形貌都比较好的InAlN薄膜.
為瞭研究不同壓力和不同模闆對InAlN薄膜外延生長的影響,分彆選取以GaN為模闆時生長壓力為4.00、6.67和13.33 kPa,壓力為4.00 kPa時模闆為GaN和A1N這兩組條件進行實驗比較.研究髮現,隨著生長壓力的增加,樣品中In含量降低,樣品的粗糙度則隨壓力的增加而增大；壓力為4.00 kPa時,分彆以搖襬麯線半高寬(FWHM)為86.97”的AIN和224.1”的GaN為模闆,髮現A1N模闆上生長的InAIN樣品(002)和(102)峰的FWHM值及錶麵粗糙度比上述GaN為模闆生長的InAlN樣品都要小很多.綜閤以上結果可初步得知:降低壓力可以優化InAlN薄膜的錶麵形貌,增加In組分含量；採用高質量的AIN作模闆能生長齣晶體質量和錶麵形貌都比較好的InAlN薄膜.
위료연구불동압력화불동모판대InAlN박막외연생장적영향,분별선취이GaN위모판시생장압력위4.00、6.67화13.33 kPa,압력위4.00 kPa시모판위GaN화A1N저량조조건진행실험비교.연구발현,수착생장압력적증가,양품중In함량강저,양품적조조도칙수압력적증가이증대；압력위4.00 kPa시,분별이요파곡선반고관(FWHM)위86.97”적AIN화224.1”적GaN위모판,발현A1N모판상생장적InAIN양품(002)화(102)봉적FWHM치급표면조조도비상술GaN위모판생장적InAlN양품도요소흔다.종합이상결과가초보득지:강저압력가이우화InAlN박막적표면형모,증가In조분함량；채용고질량적AIN작모판능생장출정체질량화표면형모도비교호적InAlN박막.
