半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
8期
856-860
,共5页
李志国%宋增超%孙大鹏%程尧海%张万荣%周仲蓉
李誌國%宋增超%孫大鵬%程堯海%張萬榮%週仲蓉
리지국%송증초%손대붕%정요해%장만영%주중용
GaAs FET%失效机理%快速评价
GaAs FET%失效機理%快速評價
GaAs FET%실효궤리%쾌속평개
提出了一种快速评价GaAs FET可靠性寿命的新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而进一步求出器件的失效激活能等相关的可靠性物理参数.
提齣瞭一種快速評價GaAs FET可靠性壽命的新方法.利用GaAs FET失效敏感參數的溫度特性和在一定電應力下的退化特性,及溫度斜坡法在線快速提取器件失效敏感參數的退化量與溫度的關繫,從而進一步求齣器件的失效激活能等相關的可靠性物理參數.
제출료일충쾌속평개GaAs FET가고성수명적신방법.이용GaAs FET실효민감삼수적온도특성화재일정전응력하적퇴화특성,급온도사파법재선쾌속제취기건실효민감삼수적퇴화량여온도적관계,종이진일보구출기건적실효격활능등상관적가고성물리삼수.
