半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
129-131
,共3页
郭霞%董立闽%渠红伟%达小丽%杜金玉%邓军%沈光地
郭霞%董立閩%渠紅偉%達小麗%杜金玉%鄧軍%瀋光地
곽하%동립민%거홍위%체소려%두금옥%산군%침광지
垂直腔面发射激光器%内腔接触%湿氮氧化
垂直腔麵髮射激光器%內腔接觸%濕氮氧化
수직강면발사격광기%내강접촉%습담양화
采用低压金属有机化合物气相外延生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化工艺实现光、电限制,制备出具有一定性能的980nm内腔接触式氧化物限制型顶发射980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL).通过制备不同氧化孔径尺寸的VCSEL,分析了氧化孔径尺寸大小对器件的阈值电流和串联电阻的影响.获得的最小阈值电流为0.8mA,最大光输出功率达8mW.
採用低壓金屬有機化閤物氣相外延生長技術,應用AlAs/AlGaAs選擇性濕氮氧化工藝實現光、電限製,製備齣具有一定性能的980nm內腔接觸式氧化物限製型頂髮射980nm垂直腔麵髮射激光器(VCSEL).通過製備不同氧化孔徑呎吋的VCSEL,分析瞭氧化孔徑呎吋大小對器件的閾值電流和串聯電阻的影響.穫得的最小閾值電流為0.8mA,最大光輸齣功率達8mW.
채용저압금속유궤화합물기상외연생장기술,응용AlAs/AlGaAs선택성습담양화공예실현광、전한제,제비출구유일정성능적980nm내강접촉식양화물한제형정발사980nm수직강면발사격광기(VCSEL).통과제비불동양화공경척촌적VCSEL,분석료양화공경척촌대소대기건적역치전류화천련전조적영향.획득적최소역치전류위0.8mA,최대광수출공솔체8mW.
