MOCVD生长的全组分InGaN材料
MOCVD생장적전조분InGaN재료
Study of InGaN Films Grown by MOCVD
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2009年 5期 274-278,300 ,共6页

    徐峰%吴真龙%邵勇%徐洲%刘启佳%刘斌%谢自力%陈鹏

    서봉%오진룡%소용%서주%류계가%류빈%사자력%진붕

    InGaN%X射线衍射%原子力显微镜%X射线光电子能谱%喇曼散射 InGaN%X射線衍射%原子力顯微鏡%X射線光電子能譜%喇曼散射
    InGaN%X사선연사%원자력현미경%X사선광전자능보%나만산사
    利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度.利用不同的物理表征手段系统研究了InGaN薄膜的晶体结构和光电学性质,XRD和Hall等测试结果表明:富Ga的InGaN薄膜具有较好的晶体质量,背景电子浓度基本均比富In的InGaN低一个数量级.同时,结合光致发光谱和光学透射谱研究了InGaN舍金带隙随In组分的变化关系.
    이용금속유궤물화학기상정적(MOCVD)방법재C면람보석츤저상제비료전조분InGaN박막,통과개변생장온도화In/Ga비례성공조공료InGaN합금조분화대극관도.이용불동적물리표정수단계통연구료InGaN박막적정체결구화광전학성질,XRD화Hall등측시결과표명:부Ga적InGaN박막구유교호적정체질량,배경전자농도기본균비부In적InGaN저일개수량급.동시,결합광치발광보화광학투사보연구료InGaN사금대극수In조분적변화관계.
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