半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
5期
345-347
,共3页
安振峰%林琳%徐会武%陈宏泰%车相辉%王晶%位永平
安振峰%林琳%徐會武%陳宏泰%車相輝%王晶%位永平
안진봉%림림%서회무%진굉태%차상휘%왕정%위영평
高效率%半导体激光器%976 nm%金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)%线阵列
高效率%半導體激光器%976 nm%金屬有機化閤物化學氣相澱積(MOCVD)%線陣列
고효솔%반도체격광기%976 nm%금속유궤화합물화학기상정적(MOCVD)%선진렬
976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用.通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压:通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率.25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%.15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%.
976 nm高效率半導體激光器是這幾年研究的熱點,在固體激光器泵浦領域有廣闊的應用.通過優化半導體激光器材料外延結構中包覆層和波導層的鋁組分,降低瞭工作電壓:通過採用微通道水冷繫統,併進行優化降低瞭熱阻,從而提高瞭室溫下的電光轉換效率.25℃室溫連續測試條件下,1 cm的線陣列(巴條),2 mm腔長,50%填充因子,在110A下,齣光功率為114.2 W,電壓為1.46 V,電光轉換效率為71%.15條微通道封裝成的垂直疊陣,進行光束整形後,穫得瞭室溫976 nm連續輸齣功率1 500 W,電光轉換效率大于70%.
976 nm고효솔반도체격광기시저궤년연구적열점,재고체격광기빙포영역유엄활적응용.통과우화반도체격광기재료외연결구중포복층화파도층적려조분,강저료공작전압:통과채용미통도수랭계통,병진행우화강저료열조,종이제고료실온하적전광전환효솔.25℃실온련속측시조건하,1 cm적선진렬(파조),2 mm강장,50%전충인자,재110A하,출광공솔위114.2 W,전압위1.46 V,전광전환효솔위71%.15조미통도봉장성적수직첩진,진행광속정형후,획득료실온976 nm련속수출공솔1 500 W,전광전환효솔대우70%.
