半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
6期
456-459,469
,共5页
韩东%胡顺欣%冯彬%王胜福%邓建国%许悦
韓東%鬍順訢%馮彬%王勝福%鄧建國%許悅
한동%호순흔%풍빈%왕성복%산건국%허열
薄膜体声波谐振器%氮化铝薄膜%空气腔%牺牲层技术%谐振器
薄膜體聲波諧振器%氮化鋁薄膜%空氣腔%犧牲層技術%諧振器
박막체성파해진기%담화려박막%공기강%희생층기술%해진기
介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案.依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控反应溅射技术制备的高质量(002) AIN薄膜作为压电材料,基于FBAR多层立体结构,实现了空气腔型FBAR谐振器的制作工艺,实际制作了FBAR谐振器样品.实测FBAR谐振器样品典型指标:Q值≥300,谐振频率为1.46 GHz,谐振频率覆盖L波段.测试结果验证了设计方案及工艺路径的正确性与可行性,为后续产品的研发提供了技术基础.
介紹瞭目前國際上主流的薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術,分析瞭FBAR諧振器的結構設計和壓電薄膜選取方案.依託Si基半導體工藝平檯,採用犧牲層技術完成瞭空氣腔的製作,利用磁控反應濺射技術製備的高質量(002) AIN薄膜作為壓電材料,基于FBAR多層立體結構,實現瞭空氣腔型FBAR諧振器的製作工藝,實際製作瞭FBAR諧振器樣品.實測FBAR諧振器樣品典型指標:Q值≥300,諧振頻率為1.46 GHz,諧振頻率覆蓋L波段.測試結果驗證瞭設計方案及工藝路徑的正確性與可行性,為後續產品的研髮提供瞭技術基礎.
개소료목전국제상주류적박막체성파해진기(FBAR)기술,분석료FBAR해진기적결구설계화압전박막선취방안.의탁Si기반도체공예평태,채용희생층기술완성료공기강적제작,이용자공반응천사기술제비적고질량(002) AIN박막작위압전재료,기우FBAR다층입체결구,실현료공기강형FBAR해진기적제작공예,실제제작료FBAR해진기양품.실측FBAR해진기양품전형지표:Q치≥300,해진빈솔위1.46 GHz,해진빈솔복개L파단.측시결과험증료설계방안급공예로경적정학성여가행성,위후속산품적연발제공료기술기출.
