红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2012年
4期
833-837
,共5页
金巨鹏%刘丹%王建新%吴云%曹菊英%曹妩媚%林春
金巨鵬%劉丹%王建新%吳雲%曹菊英%曹嫵媚%林春
금거붕%류단%왕건신%오운%조국영%조무미%림춘
量子阱红外探测器%GaAs/AlGaAs%焦平面%红外热成像
量子阱紅外探測器%GaAs/AlGaAs%焦平麵%紅外熱成像
양자정홍외탐측기%GaAs/AlGaAs%초평면%홍외열성상
量子阱红外探测器(Quantum well infrared photodetector,QWIP)已经经历了20多年的深入研究,各种QWIP器件,包括量子阱红外探测器焦平面阵列(FPA)的研制也已经相当成熟.但是在国内,受制于整体工业水平,QWIP焦平面阵列器件的研制仍然处于起步阶段.研制了基于GaAs/AlxGa1-xAs材料、峰值响应波长为9.9 μm的长波320×256n型QWIP焦平面阵列器件,其像元中心距25μm,光敏元面积为22 μm×22 μm.GaAs衬底减薄后的QWIP焦平面阵列,与Si基CMOS读出电路(ROIC)通过铟柱倒焊互连,并且在65K工作温度下进行了室温环境目标成像.该焦平面器件的规模和成像质量相比之前国内报道的结果都有较大提高.焦平面平均峰值探测率达1.5×1010 cm·Hz1/2/W.
量子阱紅外探測器(Quantum well infrared photodetector,QWIP)已經經歷瞭20多年的深入研究,各種QWIP器件,包括量子阱紅外探測器焦平麵陣列(FPA)的研製也已經相噹成熟.但是在國內,受製于整體工業水平,QWIP焦平麵陣列器件的研製仍然處于起步階段.研製瞭基于GaAs/AlxGa1-xAs材料、峰值響應波長為9.9 μm的長波320×256n型QWIP焦平麵陣列器件,其像元中心距25μm,光敏元麵積為22 μm×22 μm.GaAs襯底減薄後的QWIP焦平麵陣列,與Si基CMOS讀齣電路(ROIC)通過銦柱倒銲互連,併且在65K工作溫度下進行瞭室溫環境目標成像.該焦平麵器件的規模和成像質量相比之前國內報道的結果都有較大提高.焦平麵平均峰值探測率達1.5×1010 cm·Hz1/2/W.
양자정홍외탐측기(Quantum well infrared photodetector,QWIP)이경경력료20다년적심입연구,각충QWIP기건,포괄양자정홍외탐측기초평면진렬(FPA)적연제야이경상당성숙.단시재국내,수제우정체공업수평,QWIP초평면진렬기건적연제잉연처우기보계단.연제료기우GaAs/AlxGa1-xAs재료、봉치향응파장위9.9 μm적장파320×256n형QWIP초평면진렬기건,기상원중심거25μm,광민원면적위22 μm×22 μm.GaAs츤저감박후적QWIP초평면진렬,여Si기CMOS독출전로(ROIC)통과인주도한호련,병차재65K공작온도하진행료실온배경목표성상.해초평면기건적규모화성상질량상비지전국내보도적결과도유교대제고.초평면평균봉치탐측솔체1.5×1010 cm·Hz1/2/W.
