CAJ | 학술논문

制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构紫外探测器,并测量了其暗电流和光谱响应.通过分析其暗电流,发现在反偏情况下,其主要电流输运机制为隧穿复合机制；在正偏情况下,随着偏压的增大,电流输运机制从隧穿机制变为空间电荷限制电流机制.光谱响应测试结果显示,该探测器在-SV的偏压下,在315 nm处获得了最大响应度170 mA/W,探测度为2.3×1012 cm·Hz1/2·W-1.此外,还研究了不同厚度1层对器件光电压的影响,结果表明,光电压受隧穿机制与漏电流机制的共同制约.
제비료GaN기금속-절연층-반도체(MIS)결구자외탐측기,병측량료기암전류화광보향응.통과분석기암전류,발현재반편정황하,기주요전류수운궤제위수천복합궤제；재정편정황하,수착편압적증대,전류수운궤제종수천궤제변위공간전하한제전류궤제.광보향응측시결과현시,해탐측기재-SV적편압하,재315 nm처획득료최대향응도170 mA/W,탐측도위2.3×1012 cm·Hz1/2·W-1.차외,환연구료불동후도1층대기건광전압적영향,결과표명,광전압수수천궤제여루전류궤제적공동제약.