材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2012年
17期
16-20
,共5页
何晓崐%左然%徐楠%于海群
何曉崐%左然%徐楠%于海群
하효곤%좌연%서남%우해군
原子层外延%GaAs%表面化学反应
原子層外延%GaAs%錶麵化學反應
원자층외연%GaAs%표면화학반응
介绍了用于外延生长Ⅲ-V族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展.以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-V族化合物的表面反应机理.GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2)在表面吸附,依靠Ga(CH3)x中CH3的空间位阻效应,表面反应自动停止;另一种是选择性吸附机理,即Ga(CH3)3在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子,当表面完全覆盖一层Ga原子,即表面Ga原子饱和,表面反应自动停止.还介绍了ALE生长中的气相反应以及H原子对ALE生长过程的影响.
介紹瞭用于外延生長Ⅲ-V族化閤物薄膜的原子層外延(ALE)的國內外進展.以GaAs為例,討論瞭ALE生長Ⅲ-V族化閤物的錶麵反應機理.GaAs的ALE錶麵反應機理主要有兩種:一種是吸附質阻擋機理,即Ga-(CH3)3在錶麵髮生熱解,最終Ga(CH3)x(x=1或2)在錶麵吸附,依靠Ga(CH3)x中CH3的空間位阻效應,錶麵反應自動停止;另一種是選擇性吸附機理,即Ga(CH3)3在錶麵熱解後形成的吸附物質是Ga原子,噹錶麵完全覆蓋一層Ga原子,即錶麵Ga原子飽和,錶麵反應自動停止.還介紹瞭ALE生長中的氣相反應以及H原子對ALE生長過程的影響.
개소료용우외연생장Ⅲ-V족화합물박막적원자층외연(ALE)적국내외진전.이GaAs위례,토론료ALE생장Ⅲ-V족화합물적표면반응궤리.GaAs적ALE표면반응궤리주요유량충:일충시흡부질조당궤리,즉Ga-(CH3)3재표면발생열해,최종Ga(CH3)x(x=1혹2)재표면흡부,의고Ga(CH3)x중CH3적공간위조효응,표면반응자동정지;령일충시선택성흡부궤리,즉Ga(CH3)3재표면열해후형성적흡부물질시Ga원자,당표면완전복개일층Ga원자,즉표면Ga원자포화,표면반응자동정지.환개소료ALE생장중적기상반응이급H원자대ALE생장과정적영향.
