铜业工程
銅業工程
동업공정
COPPER ENGINEERING
2012年
1期
8-10
,共3页
SnO2%微波%水热%光致发光光谱
SnO2%微波%水熱%光緻髮光光譜
SnO2%미파%수열%광치발광광보
采用微波水热法,在ITO导电基底上合成出了SnO2纳米柱状阵列.经过扫描电子显微镜、X射线衍射表征发现微波水热法合成得到的SnO2纳米柱状阵列,其高度约为400 nm,组成阵列的柱状结构直径约为100nm.通过紫外漫反射光谱测试得出SnO2纳米柱状阵列的禁带宽度为3.25 eV,光致发光光谱显示在390nm、405 nm和425nm处分别存在较强发射峰.
採用微波水熱法,在ITO導電基底上閤成齣瞭SnO2納米柱狀陣列.經過掃描電子顯微鏡、X射線衍射錶徵髮現微波水熱法閤成得到的SnO2納米柱狀陣列,其高度約為400 nm,組成陣列的柱狀結構直徑約為100nm.通過紫外漫反射光譜測試得齣SnO2納米柱狀陣列的禁帶寬度為3.25 eV,光緻髮光光譜顯示在390nm、405 nm和425nm處分彆存在較彊髮射峰.
채용미파수열법,재ITO도전기저상합성출료SnO2납미주상진렬.경과소묘전자현미경、X사선연사표정발현미파수열법합성득도적SnO2납미주상진렬,기고도약위400 nm,조성진렬적주상결구직경약위100nm.통과자외만반사광보측시득출SnO2납미주상진렬적금대관도위3.25 eV,광치발광광보현시재390nm、405 nm화425nm처분별존재교강발사봉.
