GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究
GaAs기공진수천이겁관적재료결구연구
The Material Structure Research of the GaAs-based Resonant Tunneling Diode
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2011年 2期 136-140 ,共5页

    王杰%张斌珍%刘君%唐建军%谭振新%贾晓娟%高杰

    왕걸%장빈진%류군%당건군%담진신%가효연%고걸

    共振隧穿二极管%I-V特性%砷化镓%发射极 共振隧穿二極管%I-V特性%砷化鎵%髮射極
    공진수천이겁관%I-V특성%신화가%발사겁
    用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD.主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,V<,p>降低到了0.41 V.同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线.最后对器件阱结构和发射极面积大小与器件直流特性的关系进行了分析总结,为设计性能更好的RTD结构提供了参考依据.
    용분자속외연기술재반절연GaAs츤저상생장료삼충불동재료결구적RTD.주요침대정결구진행료대비설계,연후대설계결구진행료상온하적I-V특성측시,측시결과중기건적PVCR치최고체도료6,V<,p>강저도료0.41 V.동시상온하측시료기중일충설계결구적민감단원재사충불동발사겁면적하적I-V특성곡선.최후대기건정결구화발사겁면적대소여기건직류특성적관계진행료분석총결,위설계성능경호적RTD결구제공료삼고의거.
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