0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模
0.5μm SOI CMOS공예개발여기건건모
Development of a 0.5 um SOI CMOS Process and Its Device Modeling
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2011年 4期 582-586 ,共5页

    张书霖%陈磊%严琼%张伟%刘盛富%苏杰%赖宗声%石艳玲%徐世美%杨飞

    장서림%진뢰%엄경%장위%류성부%소걸%뢰종성%석염령%서세미%양비

    绝缘体上硅%CMOS%器件建模%浮体效应 絕緣體上硅%CMOS%器件建模%浮體效應
    절연체상규%CMOS%기건건모%부체효응
    对0.5 μm SOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数.根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模；利用BSIMproPlus软件中的BSIMSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数.对于部分耗尽SOI器件的固有浮体效应和kink效应,采用体接触方法来缓解其负面影响.
    대0.5 μm SOI CMOS공예진행료개발,득도일투완정량호적공예류정삼수.근거류편측시결과,진행SOI CMOS기건적건모；이용BSIMproPlus연건중적BSIMSOI MOS모형,근거MOS관관장비진행기건분류화건모,득도모형삼수.대우부분모진SOI기건적고유부체효응화kink효응,채용체접촉방법래완해기부면영향.
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