材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2011年
2期
1-3,6
,共4页
何茗%张树人%周晓华%李波%张婷
何茗%張樹人%週曉華%李波%張婷
하명%장수인%주효화%리파%장정
β-CaSiO3%能带结构%电荷分布%价键
β-CaSiO3%能帶結構%電荷分佈%價鍵
β-CaSiO3%능대결구%전하분포%개건
基于第一性原理的平面波赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-CaSiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质.其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%.对优化后的β-CaSiO3晶体进行能带结构分析表明,β-CaSiO3晶体为间接带隙结构,禁带宽度Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV.对态密度图及Mulliken电荷分布的分析表明,Ca的d轨道有电子分布,即Ca的s、P、d轨道均参与了成键.β-CaSiO3晶体中Ca与SiO3基团之间形成的化学键主要是离子键,而Si与O之间的化学键是共价键.
基于第一性原理的平麵波贗勢方法(PWP)的跼域密度近似(LDA)/廣義梯度近似(GGA)計算瞭β-CaSiO3的幾何結構、能帶結構、態密度和光學性質.其晶胞參數優化結果與實驗相比,LDA/GGA的相對誤差為-3.62%/1.91%.對優化後的β-CaSiO3晶體進行能帶結構分析錶明,β-CaSiO3晶體為間接帶隙結構,禁帶寬度Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV.對態密度圖及Mulliken電荷分佈的分析錶明,Ca的d軌道有電子分佈,即Ca的s、P、d軌道均參與瞭成鍵.β-CaSiO3晶體中Ca與SiO3基糰之間形成的化學鍵主要是離子鍵,而Si與O之間的化學鍵是共價鍵.
기우제일성원리적평면파안세방법(PWP)적국역밀도근사(LDA)/엄의제도근사(GGA)계산료β-CaSiO3적궤하결구、능대결구、태밀도화광학성질.기정포삼수우화결과여실험상비,LDA/GGA적상대오차위-3.62%/1.91%.대우화후적β-CaSiO3정체진행능대결구분석표명,β-CaSiO3정체위간접대극결구,금대관도Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV.대태밀도도급Mulliken전하분포적분석표명,Ca적d궤도유전자분포,즉Ca적s、P、d궤도균삼여료성건.β-CaSiO3정체중Ca여SiO3기단지간형성적화학건주요시리자건,이Si여O지간적화학건시공개건.
