量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2010年
4期
469-473
,共5页
何国荣%渠红伟%杨国华%郑婉华%陈良惠
何國榮%渠紅偉%楊國華%鄭婉華%陳良惠
하국영%거홍위%양국화%정완화%진량혜
材料%界面态密度%热电子发射%键合
材料%界麵態密度%熱電子髮射%鍵閤
재료%계면태밀도%열전자발사%건합
Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少.采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型.利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度.实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性.
Ⅲ-Ⅴ族晶片鍵閤技術對于光電器件的製備和實現光電集成有著重要意義,然而,對于鍵閤界麵的電學性質仍然研究較少.採用熱電子髮射理論,基于界麵態能級在禁帶中連續分佈的假設,根據分佈函數結閤Ⅰ-Ⅴ測試麯線可建立鍵閤結構的界麵態計算模型.利用該模型對不同條件下鍵閤的InP/GaAs電學性質做瞭分析比較,通過初始勢壘的確定,計算併比較瞭各種鍵閤條件下GaAs/InP鍵閤時的界麵電荷及界麵態密度.實驗及計算結果錶明疏水處理錶麵550℃條件下鍵閤晶片對有更低的錶麵初始勢壘和更少的界麵態密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性.
Ⅲ-Ⅴ족정편건합기술대우광전기건적제비화실현광전집성유착중요의의,연이,대우건합계면적전학성질잉연연구교소.채용열전자발사이론,기우계면태능급재금대중련속분포적가설,근거분포함수결합Ⅰ-Ⅴ측시곡선가건립건합결구적계면태계산모형.이용해모형대불동조건하건합적InP/GaAs전학성질주료분석비교,통과초시세루적학정,계산병비교료각충건합조건하GaAs/InP건합시적계면전하급계면태밀도.실험급계산결과표명소수처리표면550℃조건하건합정편대유경저적표면초시세루화경소적계면태밀도,구유경호적Ⅰ-Ⅴ특성.
