功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2010年
5期
878-880
,共3页
杜江锋%赵金霞%罗谦%于奇%夏建新%杨谟华
杜江鋒%趙金霞%囉謙%于奇%夏建新%楊謨華
두강봉%조금하%라겸%우기%하건신%양모화
GaN%椭圆偏振光谱%InN%Ga2O3
GaN%橢圓偏振光譜%InN%Ga2O3
GaN%타원편진광보%InN%Ga2O3
对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究.所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得.应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响.研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关.
對InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多層膜結構進行瞭橢圓偏振光譜研究.所有GaN樣品均採用MOCVD工藝在藍寶石(Al2O3)襯底上生長所得.應用多層介質膜模型,在300～800nm測試波長範圍內擬閤得到瞭樣品各層厚度和摺射率色散關繫,併與GaN單層膜色散關繫相比較,分析瞭各層膜之間對自身摺射率的影響.研究結果錶明,InN和Ga2O3錶麵均存在一箇粗糙層,採用有效介質近似模型可使擬閤結果更為準確;相對于GaN單層膜結構,InN薄膜使其下麵的GaN層摺射率明顯增大,這應與界麵層態密度有關;而在300～400nm測試範圍內,Ga2O3摺射率齣現反常色散現象,InN消光繫數亦產生瞭一箇彊的吸收峰,這則可能與GaN層在360nm左右存在的一箇彊吸收(Eg≈3.4eV)有關.
대InN/GaN/Al2O3화Ga2O3/GaN/Al2O3다층막결구진행료타원편진광보연구.소유GaN양품균채용MOCVD공예재람보석(Al2O3)츤저상생장소득.응용다층개질막모형,재300～800nm측시파장범위내의합득도료양품각층후도화절사솔색산관계,병여GaN단층막색산관계상비교,분석료각층막지간대자신절사솔적영향.연구결과표명,InN화Ga2O3표면균존재일개조조층,채용유효개질근사모형가사의합결과경위준학;상대우GaN단층막결구,InN박막사기하면적GaN층절사솔명현증대,저응여계면층태밀도유관;이재300～400nm측시범위내,Ga2O3절사솔출현반상색산현상,InN소광계수역산생료일개강적흡수봉,저칙가능여GaN층재360nm좌우존재적일개강흡수(Eg≈3.4eV)유관.
