红外
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홍외
INFRARED
2009年
11期
12-16
,共5页
初宁宁%郑卫民%李素梅%宋迎新%刘静
初寧寧%鄭衛民%李素梅%宋迎新%劉靜
초저저%정위민%리소매%송영신%류정
量子限制效应%GaAs/AlAs多量子阱%δ掺杂%光致发光(PL)谱
量子限製效應%GaAs/AlAs多量子阱%δ摻雜%光緻髮光(PL)譜
양자한제효응%GaAs/AlAs다양자정%δ참잡%광치발광(PL)보
通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱(阱宽范围从30A到200A)中δ-掺杂浅受主杂质铍(Be)原子带间跃迁的影响.实验中所用的样品是利用分子束外延技术生长的均匀掺Be受主的GaAs外延层和一系列在量子阱的中央进行了浅受主Be原子δ-掺杂的GaAs/AlAs多量子阱.在4.2K的低温下,测量了上述样品的光致发光谱,很清楚地观察到了受主束缚激子从基态1S3/2(Γ6)到两个激发态2S3/2(Γ6)和3S3/2(Γ6)的双空穴跃迁.研究发现,随着量子限制效应的增强,受主跃迁能量会增加.对量子限制效应调节受主杂质问跃迁能量的研究,进一步增强了对受主能态可调性的认识,为太赫兹远红外发光器或激光器的研发提供了一种新的途径.
通過光緻髮光光譜,研究瞭量子限製效應對GaAs體材料中均勻摻雜和一繫列GaAs/AlAs多量子阱(阱寬範圍從30A到200A)中δ-摻雜淺受主雜質鈹(Be)原子帶間躍遷的影響.實驗中所用的樣品是利用分子束外延技術生長的均勻摻Be受主的GaAs外延層和一繫列在量子阱的中央進行瞭淺受主Be原子δ-摻雜的GaAs/AlAs多量子阱.在4.2K的低溫下,測量瞭上述樣品的光緻髮光譜,很清楚地觀察到瞭受主束縳激子從基態1S3/2(Γ6)到兩箇激髮態2S3/2(Γ6)和3S3/2(Γ6)的雙空穴躍遷.研究髮現,隨著量子限製效應的增彊,受主躍遷能量會增加.對量子限製效應調節受主雜質問躍遷能量的研究,進一步增彊瞭對受主能態可調性的認識,為太赫玆遠紅外髮光器或激光器的研髮提供瞭一種新的途徑.
통과광치발광광보,연구료양자한제효응대GaAs체재료중균균참잡화일계렬GaAs/AlAs다양자정(정관범위종30A도200A)중δ-참잡천수주잡질피(Be)원자대간약천적영향.실험중소용적양품시이용분자속외연기술생장적균균참Be수주적GaAs외연층화일계렬재양자정적중앙진행료천수주Be원자δ-참잡적GaAs/AlAs다양자정.재4.2K적저온하,측량료상술양품적광치발광보,흔청초지관찰도료수주속박격자종기태1S3/2(Γ6)도량개격발태2S3/2(Γ6)화3S3/2(Γ6)적쌍공혈약천.연구발현,수착양자한제효응적증강,수주약천능량회증가.대양자한제효응조절수주잡질문약천능량적연구,진일보증강료대수주능태가조성적인식,위태혁자원홍외발광기혹격광기적연발제공료일충신적도경.
