发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
6期
1096-1100
,共5页
姜德龙%向嵘%吴奎%王新%王国政%付申成
薑德龍%嚮嶸%吳奎%王新%王國政%付申成
강덕룡%향영%오규%왕신%왕국정%부신성
微通道板%SiO2%防离子反馈膜%电子透过特性
微通道闆%SiO2%防離子反饋膜%電子透過特性
미통도판%SiO2%방리자반궤막%전자투과특성
防离子反馈膜是一种覆盖在微通道板输入端的Al2O3或SiO2连续超薄膜,该膜对延长微光像管的使用寿命具有重要的作用.首先采用射频磁控溅射方法在0.5~1 μm的有机载膜上制备Si薄膜,然后在4~6 Pa氧气下放电使其贴敷到微通道板上,同时使Si膜氧化和有机载膜分解,最后在微通道板输入面上形成满足设计要求的SiO2防离子反馈膜.该制膜方法工艺稳定,重复性好,成品率超过90%.给出了有、无薄膜时微通道板的电子透过特性曲线和膜层厚度与死电压间关系曲线.对相同厚度为5 nm的SiO2和Al2O3防离子反馈膜的电子透过特性进行了分析和比较,得出了SiO2比Al2O3薄膜对电子透过稍好,相应的死电压分别为220 V和255 V的结论.结合对膜层电子透过和离子阻止特性的综合分析可以看出,SiO2也是制作微通道板防离子反馈膜较为理想的材料之一.为了定量表征微通道板防离子反馈膜的离子阻止能力,最后指出了防离子反馈膜离子透过率的测量是今后该项研究工作的当务之急.
防離子反饋膜是一種覆蓋在微通道闆輸入耑的Al2O3或SiO2連續超薄膜,該膜對延長微光像管的使用壽命具有重要的作用.首先採用射頻磁控濺射方法在0.5~1 μm的有機載膜上製備Si薄膜,然後在4~6 Pa氧氣下放電使其貼敷到微通道闆上,同時使Si膜氧化和有機載膜分解,最後在微通道闆輸入麵上形成滿足設計要求的SiO2防離子反饋膜.該製膜方法工藝穩定,重複性好,成品率超過90%.給齣瞭有、無薄膜時微通道闆的電子透過特性麯線和膜層厚度與死電壓間關繫麯線.對相同厚度為5 nm的SiO2和Al2O3防離子反饋膜的電子透過特性進行瞭分析和比較,得齣瞭SiO2比Al2O3薄膜對電子透過稍好,相應的死電壓分彆為220 V和255 V的結論.結閤對膜層電子透過和離子阻止特性的綜閤分析可以看齣,SiO2也是製作微通道闆防離子反饋膜較為理想的材料之一.為瞭定量錶徵微通道闆防離子反饋膜的離子阻止能力,最後指齣瞭防離子反饋膜離子透過率的測量是今後該項研究工作的噹務之急.
방리자반궤막시일충복개재미통도판수입단적Al2O3혹SiO2련속초박막,해막대연장미광상관적사용수명구유중요적작용.수선채용사빈자공천사방법재0.5~1 μm적유궤재막상제비Si박막,연후재4~6 Pa양기하방전사기첩부도미통도판상,동시사Si막양화화유궤재막분해,최후재미통도판수입면상형성만족설계요구적SiO2방리자반궤막.해제막방법공예은정,중복성호,성품솔초과90%.급출료유、무박막시미통도판적전자투과특성곡선화막층후도여사전압간관계곡선.대상동후도위5 nm적SiO2화Al2O3방리자반궤막적전자투과특성진행료분석화비교,득출료SiO2비Al2O3박막대전자투과초호,상응적사전압분별위220 V화255 V적결론.결합대막층전자투과화리자조지특성적종합분석가이간출,SiO2야시제작미통도판방리자반궤막교위이상적재료지일.위료정량표정미통도판방리자반궤막적리자조지능력,최후지출료방리자반궤막리자투과솔적측량시금후해항연구공작적당무지급.
