一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究
일충N구VDMOS전리복사계면함정전류전도성연구
Study of conductive property for a N-VDMOS interface trap under X-ray radiation
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2008年 3期 1872-1877 ,共6页

    谭开洲%胡刚毅%杨谟华%徐世六%张正璠%刘玉奎%何开全%钟怡

    담개주%호강의%양모화%서세륙%장정번%류옥규%하개전%종이

    界面陷阱%亚阈值电流%X射线辐射%VDMOS 界麵陷阱%亞閾值電流%X射線輻射%VDMOS
    계면함정%아역치전류%X사선복사%VDMOS
    利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流一电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分辨出来.
    이용X사선대일충N구VDMOS재불동적부재공솔하진행료복사시험,채용전류일전압(I-V)측시방법발현저충H2-O2(경양합성)양화책개질VDMOS양품존재자퇴화효응시,신증계면함정특성여통상적이론불능구흔호지일치.근거소측수거,명학제출료유자퇴화효응양품적신증계면함정제료전하효응외환구유전도전류능력적관점,초보인위해전류시표면비미능급화함정능급상호작용도치적산생복합전류,해전류불능간단지종I-V곡선상정량분변출래.
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