半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
6期
766-768,777
,共4页
林亮%陈志忠%童玉珍%于彤军%秦志新%张国义
林亮%陳誌忠%童玉珍%于彤軍%秦誌新%張國義
림량%진지충%동옥진%우동군%진지신%장국의
GaN%大功率LED%倒装焊%理想因子%发光效率%老化
GaN%大功率LED%倒裝銲%理想因子%髮光效率%老化
GaN%대공솔LED%도장한%이상인자%발광효솔%노화
测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的电流-电压(I-V)特性曲线.结果表明,相对理想情形,特性曲线的反向偏压区漏电因深能级隧穿偏大;正向小偏压下因沿着位错汇聚金属产生漏电流;产生-复合电流区和扩散电流区因多量子阱限制而理想因子偏大;由于有源区低掺杂,在10A/cm2就开始形成大注入区;在大电流下也因为串联电阻分压而形成串联电阻区.扩散电流区的温度系数和肖克莱方程导出的数值最接近,可用来测量结温.老化过程中反向漏电流增加,是因为有了更多被激活的深能级;随着老化正向漏电增加的速度变慢,是由于位错逐渐被汇集的金属填满.
測量瞭GaN基大功率倒裝銲藍光髮光二極管(LED)在不同溫度、不同老化階段的電流-電壓(I-V)特性麯線.結果錶明,相對理想情形,特性麯線的反嚮偏壓區漏電因深能級隧穿偏大;正嚮小偏壓下因沿著位錯彙聚金屬產生漏電流;產生-複閤電流區和擴散電流區因多量子阱限製而理想因子偏大;由于有源區低摻雜,在10A/cm2就開始形成大註入區;在大電流下也因為串聯電阻分壓而形成串聯電阻區.擴散電流區的溫度繫數和肖剋萊方程導齣的數值最接近,可用來測量結溫.老化過程中反嚮漏電流增加,是因為有瞭更多被激活的深能級;隨著老化正嚮漏電增加的速度變慢,是由于位錯逐漸被彙集的金屬填滿.
측량료GaN기대공솔도장한람광발광이겁관(LED)재불동온도、불동노화계단적전류-전압(I-V)특성곡선.결과표명,상대이상정형,특성곡선적반향편압구루전인심능급수천편대;정향소편압하인연착위착회취금속산생루전류;산생-복합전류구화확산전류구인다양자정한제이이상인자편대;유우유원구저참잡,재10A/cm2취개시형성대주입구;재대전류하야인위천련전조분압이형성천련전조구.확산전류구적온도계수화초극래방정도출적수치최접근,가용래측량결온.노화과정중반향루전류증가,시인위유료경다피격활적심능급;수착노화정향루전증가적속도변만,시유우위착축점피회집적금속전만.
