微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
10期
943-945
,共3页
化学气相沉积法%气-液-固机制%碳化硅晶须
化學氣相沉積法%氣-液-固機製%碳化硅晶鬚
화학기상침적법%기-액-고궤제%탄화규정수
采用化学气相沉积(CVD)法以气-液-固(VLS)机制生长了碳化硅(SiC)晶须,系统研究了基片表面的气流状况、生长温度和反应室总气压等对SiC晶须形貌的影响.研究结果表明:当基片表面存在较强的平流状态时,以生长SiC薄膜为主,很难形成晶须;生长温度及反应室总气压对晶须的直径有较大影响,合适的生长温度以及较高的总压有利于晶须的生长.
採用化學氣相沉積(CVD)法以氣-液-固(VLS)機製生長瞭碳化硅(SiC)晶鬚,繫統研究瞭基片錶麵的氣流狀況、生長溫度和反應室總氣壓等對SiC晶鬚形貌的影響.研究結果錶明:噹基片錶麵存在較彊的平流狀態時,以生長SiC薄膜為主,很難形成晶鬚;生長溫度及反應室總氣壓對晶鬚的直徑有較大影響,閤適的生長溫度以及較高的總壓有利于晶鬚的生長.
채용화학기상침적(CVD)법이기-액-고(VLS)궤제생장료탄화규(SiC)정수,계통연구료기편표면적기류상황、생장온도화반응실총기압등대SiC정수형모적영향.연구결과표명:당기편표면존재교강적평류상태시,이생장SiC박막위주,흔난형성정수;생장온도급반응실총기압대정수적직경유교대영향,합괄적생장온도이급교고적총압유리우정수적생장.
