发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2007年
5期
724-729
,共6页
胡学兵%郑著宏%公维炜%郑金桔%高威
鬍學兵%鄭著宏%公維煒%鄭金桔%高威
호학병%정저굉%공유위%정금길%고위
S-K模式%自组织生长%CdSe量子点%发光
S-K模式%自組織生長%CdSe量子點%髮光
S-K모식%자조직생장%CdSe양자점%발광
利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光.稳态变温光谱表明:低温下CdSe量子阱有很强的发光,高温猝灭,而其表面上的量子点发光可持续到室温,原因归结于量子点的三维量子尺寸限制效应;变激发功率光谱表明:量子点激子发光是典型的自由激子发光,且在功率增加时,宽阱层表面上的CdSe量子点有明显的带填充效应.通过比较不同CdSe阱层厚度的样品的发光,发现其表面上量子点的发光差异较大,这可以归结为阱层厚度不同导致应变弛豫的程度不同,直接决定了所形成量子点的大小与空间分布[1].
利用變溫和變激髮功率分彆研究瞭不同厚度CdSe阱層的自組織CdSe量子點的髮光.穩態變溫光譜錶明:低溫下CdSe量子阱有很彊的髮光,高溫猝滅,而其錶麵上的量子點髮光可持續到室溫,原因歸結于量子點的三維量子呎吋限製效應;變激髮功率光譜錶明:量子點激子髮光是典型的自由激子髮光,且在功率增加時,寬阱層錶麵上的CdSe量子點有明顯的帶填充效應.通過比較不同CdSe阱層厚度的樣品的髮光,髮現其錶麵上量子點的髮光差異較大,這可以歸結為阱層厚度不同導緻應變弛豫的程度不同,直接決定瞭所形成量子點的大小與空間分佈[1].
이용변온화변격발공솔분별연구료불동후도CdSe정층적자조직CdSe양자점적발광.은태변온광보표명:저온하CdSe양자정유흔강적발광,고온졸멸,이기표면상적양자점발광가지속도실온,원인귀결우양자점적삼유양자척촌한제효응;변격발공솔광보표명:양자점격자발광시전형적자유격자발광,차재공솔증가시,관정층표면상적CdSe양자점유명현적대전충효응.통과비교불동CdSe정층후도적양품적발광,발현기표면상양자점적발광차이교대,저가이귀결위정층후도불동도치응변이예적정도불동,직접결정료소형성양자점적대소여공간분포[1].
