浙江大学学报（工学版）
浙江大學學報（工學版）
절강대학학보（공학판）
JOURNAL OF ZHEJIANG UNIVERSITY(ENGINEERING SCIENCE)
2007年
7期
1078-1082,1087
,共6页
刘坤杰%游海亮%严晓浪%葛海通
劉坤傑%遊海亮%嚴曉浪%葛海通
류곤걸%유해량%엄효랑%갈해통
内存管理单元%转译缓存%片上系统
內存管理單元%轉譯緩存%片上繫統
내존관리단원%전역완존%편상계통
提出了一种面向嵌入式应用的内存管理单元(MMU)的全综合设计结构,其地址转译缓存(TLB)采用多级结构,包括第一级分离的组相联微指令μITLB和微数据μDTLB及第二级统一的全相联JTLB.第一级μITLB和μDTLB表项少且组相联,查询速度快;第二级JTLB可采用多周期查询方式,易于高速综合实现.选取Mibench测试基准集中的部分典型应用,通过嵌入式片上系统(SoC)设计样例,验证了该MMU结构的应用适应性.SoC设计实验结果表明,多级TLB结构MMU的系统性能与单级全相联结构最大仅相差3.8%.将设计的MMU集成在自主开发的高端32-bit嵌入式芯核CK520中,在0.18 μm 6层金属工艺最差工作条件下,处理器的时钟频率达到230 MHz以上,面积仅增加了7.6%.
提齣瞭一種麵嚮嵌入式應用的內存管理單元(MMU)的全綜閤設計結構,其地阯轉譯緩存(TLB)採用多級結構,包括第一級分離的組相聯微指令μITLB和微數據μDTLB及第二級統一的全相聯JTLB.第一級μITLB和μDTLB錶項少且組相聯,查詢速度快;第二級JTLB可採用多週期查詢方式,易于高速綜閤實現.選取Mibench測試基準集中的部分典型應用,通過嵌入式片上繫統(SoC)設計樣例,驗證瞭該MMU結構的應用適應性.SoC設計實驗結果錶明,多級TLB結構MMU的繫統性能與單級全相聯結構最大僅相差3.8%.將設計的MMU集成在自主開髮的高耑32-bit嵌入式芯覈CK520中,在0.18 μm 6層金屬工藝最差工作條件下,處理器的時鐘頻率達到230 MHz以上,麵積僅增加瞭7.6%.
제출료일충면향감입식응용적내존관리단원(MMU)적전종합설계결구,기지지전역완존(TLB)채용다급결구,포괄제일급분리적조상련미지령μITLB화미수거μDTLB급제이급통일적전상련JTLB.제일급μITLB화μDTLB표항소차조상련,사순속도쾌;제이급JTLB가채용다주기사순방식,역우고속종합실현.선취Mibench측시기준집중적부분전형응용,통과감입식편상계통(SoC)설계양례,험증료해MMU결구적응용괄응성.SoC설계실험결과표명,다급TLB결구MMU적계통성능여단급전상련결구최대부상차3.8%.장설계적MMU집성재자주개발적고단32-bit감입식심핵CK520중,재0.18 μm 6층금속공예최차공작조건하,처리기적시종빈솔체도230 MHz이상,면적부증가료7.6%.
