人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2007年
4期
859-862
,共4页
丁瑞钦%朱慧群%曾庆光%林民生%冯文胜%梁毅斌%梁满堂%梁达荣
丁瑞欽%硃慧群%曾慶光%林民生%馮文勝%樑毅斌%樑滿堂%樑達榮
정서흠%주혜군%증경광%림민생%풍문성%량의빈%량만당%량체영
磷扩散%p型ZnO薄膜%磁控溅射%异质ZnO p-n结
燐擴散%p型ZnO薄膜%磁控濺射%異質ZnO p-n結
린확산%p형ZnO박막%자공천사%이질ZnO p-n결
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜.X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜.电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018 /cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成.
應用射頻反應磁控濺射的方法,將ZnO薄膜沉積于高燐摻雜的n+型Si襯底上.在沉積和後退火過程中,燐嚮ZnO薄膜擴散併被激活,使ZnO薄膜由n型轉化為p型,從而形成p型ZnO薄膜.X射線衍射分析(XRD)證明瞭所製備的ZnO薄膜都是高c軸取嚮的六角纖鋅礦結構的薄膜.電學I-V關繫麯線的整流特性和空穴濃度≥1.78×1018 /cm3的霍耳效應測試結果證明瞭p型ZnO薄膜的形成.
응용사빈반응자공천사적방법,장ZnO박막침적우고린참잡적n+형Si츤저상.재침적화후퇴화과정중,린향ZnO박막확산병피격활,사ZnO박막유n형전화위p형,종이형성p형ZnO박막.X사선연사분석(XRD)증명료소제비적ZnO박막도시고c축취향적륙각섬자광결구적박막.전학I-V관계곡선적정류특성화공혈농도≥1.78×1018 /cm3적곽이효응측시결과증명료p형ZnO박막적형성.
