电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2006年
6期
936-938
,共3页
田时开%江天府%杨兴华%曾葆青
田時開%江天府%楊興華%曾葆青
전시개%강천부%양흥화%증보청
碳纳米管%场发射%化学气相沉积法%老炼
碳納米管%場髮射%化學氣相沉積法%老煉
탄납미관%장발사%화학기상침적법%노련
采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜.并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1～1.2 V/μm.对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3μA提高到34μA.
採取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr閤金作為催化劑,用化學氣相沉積法製備瞭碳納米管薄膜.併採用H2等離子體毬處理碳納米管薄膜,測試其場髮射特性,併與未經處理的碳納米管薄膜進行瞭比較,得到碳納米管薄膜開啟場彊有所降低,為1～1.2 V/μm.對碳納米管薄膜進行老煉處理,最大場髮射電流由12.3μA提高到34μA.
채취직접재규편상진공증도NiCr합금작위최화제,용화학기상침적법제비료탄납미관박막.병채용H2등리자체구처리탄납미관박막,측시기장발사특성,병여미경처리적탄납미관박막진행료비교,득도탄납미관박막개계장강유소강저,위1～1.2 V/μm.대탄납미관박막진행노련처리,최대장발사전류유12.3μA제고도34μA.
