半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
4期
373-375
,共3页
黎威志%蒋亚东%钟志有%季兴桥%阳秀
黎威誌%蔣亞東%鐘誌有%季興橋%暘秀
려위지%장아동%종지유%계흥교%양수
复合位置%激子%掺杂剂%异质结器件
複閤位置%激子%摻雜劑%異質結器件
복합위치%격자%참잡제%이질결기건
载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节,它直接影响着器件的效率,稳定性,寿命等性能.以双层器件ITO/ N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-(1,1'-biphenyl)- 4,4'-diamine (NPB)/ tri-(8-hydroxy-quinoline )-aluminum (Alq3)/Mg:Ag为基础,以红光掺杂剂4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB)为探针,通过改变在Alq3层中掺杂层的厚度,研究了双层异质结器件中载流子的复合位置.结果表明,对于双层器件NPB/Alq3,载流子的复合及激子的辐射衰减位于界面处的Alq3层0～10 nm范围内.
載流子的複閤是有機電緻髮光過程的一箇重要環節,它直接影響著器件的效率,穩定性,壽命等性能.以雙層器件ITO/ N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-(1,1'-biphenyl)- 4,4'-diamine (NPB)/ tri-(8-hydroxy-quinoline )-aluminum (Alq3)/Mg:Ag為基礎,以紅光摻雜劑4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB)為探針,通過改變在Alq3層中摻雜層的厚度,研究瞭雙層異質結器件中載流子的複閤位置.結果錶明,對于雙層器件NPB/Alq3,載流子的複閤及激子的輻射衰減位于界麵處的Alq3層0～10 nm範圍內.
재류자적복합시유궤전치발광과정적일개중요배절,타직접영향착기건적효솔,은정성,수명등성능.이쌍층기건ITO/ N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-(1,1'-biphenyl)- 4,4'-diamine (NPB)/ tri-(8-hydroxy-quinoline )-aluminum (Alq3)/Mg:Ag위기출,이홍광참잡제4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB)위탐침,통과개변재Alq3층중참잡층적후도,연구료쌍층이질결기건중재류자적복합위치.결과표명,대우쌍층기건NPB/Alq3,재류자적복합급격자적복사쇠감위우계면처적Alq3층0～10 nm범위내.
